Работа посвящена созданию виртуального прибора в среде LabVIEW, позволяющего моделировать процесс выращивания кристалла в зависимости от технологических параметров. В качестве рассматриваемого технологического процесса выбран метод выращивания монокристаллов путем вытягивания их вверх со свободной поверхности большого объема расплава с инициированием начала кристаллизации путем внесения затравочного кристалла (или нескольких кристаллов) заданной структуры и кристаллографической ориентации, находящегося в контакте со свободной поверхностью расплава (метод Чохральского). Виртуальный прибор предназначен для использования студентами и преподавателями в очном режиме и в условиях дистанционного обучения. С. 99-108.
The work is devoted to the creation of a virtual instrument in the LabVIEW environment, which makes it possible to simulate the process of growing a crystal depending on technological parameters. As the technological process under consideration, we chose the method of growing single crystals by pulling them up from the spare surface of a large volume of the melt with initiation of the onset of crystallization by introducing a seed crystal (or several crystals) of a given structure and crystallographic orientation, which is in contact with the spare surface of the melt (Czochralski method). The virtual instrument is intended for use by students and teachers in full-time mode and in distance learning.
Ключевые слова: метод Чохральского, полупроводниковый монокристалл, среда программирования LabVIEW, уравнение электронейтральности.
Keywords: Czochralski method, semiconductor single crystal, LabVIEW programming environment, electroneutrality equation.
Работа посвящена созданию виртуального прибора в среде LabVIEW, позволяющего моделировать процесс зонной плавки в зависимости от технологических параметров. Рассматриваются методы очистки и выращивания монокристаллов путем медленного перемещения узкой зоны расплава по длине поликристаллического слитка твердого материала, в результате чего благодаря перекристаллизации происходит перераспределение примесей, растворенных в слитке. Окончательное распределение примесей зависит от их первоначального распределения, числа и ширины зон расплава и направления их движения. Виртуальный прибор предназначен для использования студентами и преподавателями в условиях дистанционного обучения и в очном режиме. С. 19–31.
The work is devoted to the creation of a virtual device in the LabVIEW environment, which allows simulating the process of zone melting depending on technological parameters. Methods for cleaning and growing single crystals by slowly moving a narrow melt zone along the length of a polycrystalline ingot of a solid material are considered, as a result of which, due to recrystallization, the impurities dissolved in the ingot are redistributed. The final distribution of impurities depends on their initial distribution, the number and width of the melt zones, and the direction of their movement. The virtual device is intended for use by students and teachers in distance learning and face-to-face mode.
Ключевые слова: метод зонной плавки, метод зонной очистки, метод целевой загрузки, распределение примеси, полупроводниковый монокристалл, среда программирования LabVIEW.
Keywords: zone melting method, zone cleaning method, target loading method, impurity distribution, semiconductor single crystal, LabVIEW programming environment.
Работа посвящена созданию программы, позволяющей моделировать процесс эпитаксии и выращивания полупроводниковых монокристаллов в зависимости от технологических параметров. Рассматривается процесс ориентированного роста одного кристалла на поверхности другого. Термин «ориентированный рост» предполагает, что при наличии большого числа центров зарождения и их дальнейшей коалесценции (процесс слияния частиц внутри подвижной среды (жидкости, газа) или на поверхности тела) формирующийся эпитаксиальный слой будет монокристаллическим, что позволяет указать плоскости и направления в подложке и эпитаксиальном слое, одинаковым образом ориентированные в пространстве. Виртуальный прибор предназначен для использования студентами и преподавателями в условиях дистанционного обучения и в очном режиме. С. 96-105.
The work is devoted to the creation of a program that allows one to simulate the process
of epitaxy and cultivation of semiconductor monocrystals depending on technological
parameters. The process of directed growth of one crystal on the surface of another is
considered. The term “directed growth” implies that in the presence of a large number of origin centers and their further coalescence (the process of fusion of particles inside the
mobile medium (liquid, gas) or on the surface of the body) the emerging epitaxial layer will
be monocrystalline, that allows you to specify the planes and directions in the substrate
and epitaxial layer, equally oriented in space. The virtual device is intended for use by
students and teachers in distance learning and in full-time mode.
Ключевые слова: эпитаксия, твердый раствор, параметр решетки, энергетический параметр, полупроводниковый монокристалл, среда программирования LabVIEW.
Keywords: epitaxy, solid solution, grid parameter, energy gap, semiconductor monocrystal,
LabVIEW programming environment.