Работа посвящена созданию программы, позволяющей моделировать процесс эпитаксии и выращивания полупроводниковых монокристаллов в зависимости от технологических параметров. Рассматривается процесс ориентированного роста одного кристалла на поверхности другого. Термин «ориентированный рост» предполагает, что при наличии большого числа центров зарождения и их дальнейшей коалесценции (процесс слияния частиц внутри подвижной среды (жидкости, газа) или на поверхности тела) формирующийся эпитаксиальный слой будет монокристаллическим, что позволяет указать плоскости и направления в подложке и эпитаксиальном слое, одинаковым образом ориентированные в пространстве. Виртуальный прибор предназначен для использования студентами и преподавателями в условиях дистанционного обучения и в очном режиме. С. 96-105.

The work is devoted to the creation of a program that allows one to simulate the process of epitaxy and cultivation of semiconductor monocrystals depending on technological parameters. The process of directed growth of one crystal on the surface of another is considered. The term “directed growth” implies that in the presence of a large number of origin centers and their further coalescence (the process of fusion of particles inside the mobile medium (liquid, gas) or on the surface of the body) the emerging epitaxial layer will be monocrystalline, that allows you to specify the planes and directions in the substrate and epitaxial layer, equally oriented in space. The virtual device is intended for use by students and teachers in distance learning and in full-time mode.